本書內容包含微波半導體元件與模型、射頻放大器、功率放大器與線性化技術、振盪器及混頻器。且特別注重文獻參考資料，以彰顯射頻知識的傳承。另外為增加思考廣度，列舉了不同的電路分析方法。本書適用於大學、科大電子系「射頻系統導論」之相關課程。
本書特色1 . 針對無線通訊產品中之射頻晶片(含混成晶片、CMOS、PHEMT晶片)作詳盡之介紹。2 . 列舉各種設計理論和分析方法，以增加思考廣度。3 . 重視文獻回顧，以彰顯射頻知識的沿革。4 . 提供模擬和實作例題，以便使讀者更加了解射頻晶片。

第7章　半導體元件與模型7.1 半導體物理概述 27.2 二極體元件 177.3 雙極性電晶體(Bipolar Junction Transistor , BJT) 267.4 異質接面雙極性電晶體(Hetrojunction  Bipolar Transistor, HBT) 327.5 接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor, JFET) 357.6 金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor , MOSFET) 377.7 金半場效電晶體(Metal- Semiconductor Field Effect  Transistor , MESFET) 427.8 高速電子移動電晶體(High Electron Mobility Transistor , HEMT) 437.9 半導體參數測試及元件特性分析 477.10 微波元件特性及模型 49
第8章　射頻放大器8.1 混成射頻放大器與單晶射頻放大器 668.2 輸出與輸入功率的比值-增益 698.3 訊號波流理論(Signal Flow Theory) 738.4 穩定度分析 838.5 消除不穩定的方法 918.6 直流偏壓電路 1038.7 單向增益匹配 1088.8 雙向增益匹配 1118.9 功率匹配 1158.10 雜訊匹配 1198.11 設計實例 125
第9章　功率放大器與線性化技術9.1 功率放大器特性之概述 1489.2 功率放大器之類別 1509.3 克里普斯(Cripps)負載線法 1669.4 負載拉挽方法(Load-Pulling Method) 1759.5 回饋線性化技術 1779.6 前饋線性化(Feedforward  Linearization)技術 1849.7 前置失真技術(Pre-Distortion) 1869.8 封包消弭與回復技術(Envelope Elimination and Restoration) 1889.9 功率放大器設計實例 189
第10章　振盪器10.1 簡介 20010.2 形成振盪的必要條件-小訊號負電阻分析法 20210.3 形成振盪的必要條件-小訊號迴授分析法 20610.4 形成振盪的必要條件-小訊號S參數分析法 21110.5 形成振盪的充份且必要條件-根軌跡法 21510.6 形成振盪的充份且必要條件-阻抗軌跡法 21910.7 穩定振盪功率-大訊號Y參數分析法 22610.8 穩定振盪功率-大訊號S參數分析法 23010.9 負載拉挽效應 23310.10 注入鎖定效應 23610.11 評估振盪器效能之各項參數 23810.12 設計實例 241
第11章　混頻器11.1 混頻器之發展與效能參數 26011.2 單端二極體混頻器 26411.3 單平衡二極體混頻器 27511.4 雙平衡二極體混頻器 29411.5 單閘極MESFET混頻器 30211.6 雙閘極MESFET混頻器 30611.7 平衡型MESFET混頻器 30811.8 電阻型MESFET混頻器 31211.9 單端MOSFET混頻器 31611.10 平衡型MOSFET混頻器 31811.11 電阻型MOSFET混頻器 33011.12 平衡型BJT混頻器 33211.13 次諧波驅動混頻器 33311.14 鏡像拒斥降頻器 33611.15 單邊帶升頻器 339A　索引